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上证指数

3814.20 / -1.61%

两市成交 1.92万亿 较昨日 -2589亿

603290 斯达半导 -1.2% 4.1亿 / 198.8亿

昨额: 5.0亿

昨换: 2.5%

昨板: 0板 (18/1)

L1 17.6万

今换: 2.02

偏离: -203.8

ROE 0.4

毛利 21.1

负债 33.3

利润 2662.7万

资金: -1425.9万 -7636.4万 -1.5亿 -6.2亿
[国产芯片] 以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。
财务信息 报告期: 2026-03-31
ROE:0.38%
毛利率:21.08%
资产负债率:33.28%
净利润:2662.7万
扣非净利润:1679.4万
营业总收入:8.6亿
经营现金流:-1.1亿
股东权益:70.5亿
流动比率:2.9
速动比率:1.67
应收账款周转天数:91.0天
存货周转天数:226.0天
最新异动解析 (2026-06-30)

板块: 公告

异动时间: 14:03:39

AI 精简

GaN项目增资+SiC欧洲定点+AI服务器电源

公司拟向子公司上海道之增资2亿元建设车规级GaN模块产业化项目,把握氮化镓应用机遇。SiC主驱模块新增欧洲Tier1定点及多个800V项目,IGBT/SiC/GaN产品已批量应用于数据中心AI服务器电源、光伏储能和新能源汽车。

原文

增资子公司(GaN项目)+SiC器件+服务器电源+储能+IGBT

1、2026年6月29日晚公告,公司拟使用募集资金向控股子公司上海道之增资2亿元,用于“车规级GaN模块产业化项目”建设,以把握氮化镓在高功率密度场景下的应用机遇。 2、公司产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备,同时开展对下一代 AI 服务器电源、数据中心所需IGBT、SiC MOSFET、GaN 等产品系列的开发,预计2026年开始推向市场。 3、公司新能源汽车碳化硅主驱模块已大批量装车应用,同时新增多个800V碳化硅主驱模块项目定点与欧洲品牌Tier1定点。 4、公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的IGBT模块在地面光伏电站和大型储能批量装机,并在北美等海外电站批量装机;公司1200V 650V大电流单管已大批量应用于工商业光伏和储能,处于行业领先地位。 5、公司主营为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的研产销,并以IGBT模块形式对外实现销售。

近期资金流向 (近10个交易日)
累计净额: -6.2亿
净流入天数: 0 / 10
最大流入: -
最大流出: -1.6亿
日期 涨跌幅 成交额 主力净额 主力流入 主力流出 超大单净额 大单净额 主力净流速
2026-07-24 -1.25% 4.1亿 -1425.9万 8642.6万 1亿 -438.7万 -987.3万 -145.1万/分
2026-07-23 -2.22% 5亿 -3254.6万 1.1亿 1.5亿 -788.4万 -2466.2万 35.6万/分
2026-07-22 -2.25% 8.8亿 -2955.9万 2.5亿 2.7亿 -1451.9万 -1504万 -129.3万/分
2026-07-21 8.6% 10.7亿 -1848.8万 3.3亿 3.4亿 -752.6万 -1096.1万 -94.9万/分
2026-07-20 -7.27% 9.4亿 -5339.5万 2.8亿 3.3亿 -4474.1万 -865.4万 -58.5万/分
2026-07-17 -9.99% 9.2亿 -8721.1万 2.2亿 3.1亿 -3465.5万 -5255.6万 -813万/分
2026-07-16 -6.48% 9.5亿 -1.1亿 2.5亿 3.6亿 -5126.9万 -6010.9万 -161.8万/分
2026-07-15 -9.93% 14亿 -1.6亿 4.4亿 6亿 -9965.3万 -5752.6万 13.6万/分
2026-07-14 -0.63% 10.1亿 -363万 2.9亿 3亿 133.1万 -496.1万 6987.0/分
2026-07-13 -5.51% 12亿 -1.2亿 3.3亿 4.5亿 -6724.6万 -4898.7万 -250万/分
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