财务信息
报告期: 2026-06-30
ROE:0.93%
毛利率:20.58%
资产负债率:43.13%
净利润:6500.1万
扣非净利润:4615.4万
营业总收入:19.3亿
经营现金流:2.1亿
股东权益:69.8亿
流动比率:3.3
速动比率:2.34
应收账款周转天数:87.2天
存货周转天数:193.6天
最新异动解析
(2026-08-19)
板块: 其他
异动时间: 10:49:58
AI 精简
功率半导体涨价+GaN项目增资+SiC主驱模块定点欧洲
台湾地区功率半导体厂商酝酿10月起涨价10%-15%，AIDC建设提速带动功率器件需求；公司拟向子公司上海道之增资2亿元推进车规级GaN模块产业化，SiC主驱模块新增欧洲Tier1定点，业绩有望受益。
原文
IGBT+增资子公司（GaN项目）+SiC器件+服务器电源+储能
1、2026年8月19日机构研报，今日据台湾经济日报报道，台湾地区功率半导体厂商正酝酿今年第三波价格调整，最快于10月起针对非合约产品上调价格10%-15%。功率半导体景气度持续，AIDC建设提速与功率器件价值量提升形成双击，叠加行业涨价带来的利润弹性。公司主营为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的研产销,并以IGBT模块形式对外实现销售。 2、2026年6月29日晚公告，公司拟使用募集资金向控股子公司上海道之增资2亿元，用于“车规级GaN模块产业化项目”建设，以把握氮化镓在高功率密度场景下的应用机遇。 3、公司产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备，同时开展对下一代 AI 服务器电源、数据中心所需IGBT、SiC MOSFET、GaN 等产品系列的开发，预计2026年开始推向市场。 4、公司新能源汽车碳化硅主驱模块已大批量装车应用，同时新增多个800V碳化硅主驱模块项目定点与欧洲品牌Tier1定点。 5、公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的IGBT模块在地面光伏电站和大型储能批量装机，并在北美等海外电站批量装机；公司1200V 650V大电流单管已大批量应用于工商业光伏和储能，处于行业领先地位。
近期资金流向
(近10个交易日)
累计净额:
-8682.3万
净流入天数:
0 / 10
最大流入:
-
最大流出:
-1625.9万
| 日期 | 涨跌幅 | 成交额 | 主力净额 | 主力流入 | 主力流出 | 超大单净额 | 大单净额 | 主力净流速 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026-10-23 | 3.13% | 3.5亿 | -953万 | 8355.3万 | 9308.3万 | -454万 | -499万 | 28.2万/分 |
| 2026-10-22 | -2.62% | 2.4亿 | -850.9万 | 4615.1万 | 5466.1万 | -758.5万 | -92.4万 | 258.9万/分 |
| 2026-10-21 | 0.45% | 2亿 | -220.4万 | 3697.5万 | 3917.9万 | 192万 | -412.4万 | 31.7万/分 |
| 2026-10-20 | 2.69% | 2.4亿 | -1441.4万 | 3894.4万 | 5335.8万 | 24.6万 | -1466万 | -48.8万/分 |
| 2026-10-19 | 0.39% | 1.9亿 | -774.3万 | 3928.1万 | 4702.4万 | -541.7万 | -232.6万 | 89.3万/分 |
| 2026-10-16 | 0.23% | 2.3亿 | -300.3万 | 5357.1万 | 5657.4万 | -728.8万 | 428.4万 | 20.6万/分 |
| 2026-10-15 | -3.85% | 3.1亿 | -829.9万 | 8262.8万 | 9092.7万 | 127.5万 | -957.4万 | 44.5万/分 |
| 2026-10-14 | -2.6% | 1.8亿 | -318.4万 | 4009.8万 | 4328.2万 | 102.5万 | -420.9万 | 4.3万/分 |
| 2026-10-13 | 0.23% | 3.5亿 | -1625.9万 | 7910.9万 | 9536.8万 | 87.3万 | -1713.2万 | -7.4万/分 |
| 2026-10-12 | -2.87% | 2.8亿 | -1367.7万 | 5335.4万 | 6703.1万 | -907.3万 | -460.5万 | 7.4万/分 |