财务信息
报告期: 2026-06-30
ROE:0.93%
毛利率:20.58%
资产负债率:43.13%
净利润:6500.1万
扣非净利润:4615.4万
营业总收入:19.3亿
经营现金流:2.1亿
股东权益:69.8亿
流动比率:3.3
速动比率:2.34
应收账款周转天数:87.2天
存货周转天数:193.6天
最新异动解析
(2026-08-19)
板块: 其他
异动时间: 10:49:58
AI 精简
功率半导体涨价+GaN项目增资+SiC主驱模块定点欧洲
台湾地区功率半导体厂商酝酿10月起涨价10%-15%，AIDC建设提速带动功率器件需求；公司拟向子公司上海道之增资2亿元推进车规级GaN模块产业化，SiC主驱模块新增欧洲Tier1定点，业绩有望受益。
原文
IGBT+增资子公司（GaN项目）+SiC器件+服务器电源+储能
1、2026年8月19日机构研报，今日据台湾经济日报报道，台湾地区功率半导体厂商正酝酿今年第三波价格调整，最快于10月起针对非合约产品上调价格10%-15%。功率半导体景气度持续，AIDC建设提速与功率器件价值量提升形成双击，叠加行业涨价带来的利润弹性。公司主营为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的研产销,并以IGBT模块形式对外实现销售。 2、2026年6月29日晚公告，公司拟使用募集资金向控股子公司上海道之增资2亿元，用于“车规级GaN模块产业化项目”建设，以把握氮化镓在高功率密度场景下的应用机遇。 3、公司产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备，同时开展对下一代 AI 服务器电源、数据中心所需IGBT、SiC MOSFET、GaN 等产品系列的开发，预计2026年开始推向市场。 4、公司新能源汽车碳化硅主驱模块已大批量装车应用，同时新增多个800V碳化硅主驱模块项目定点与欧洲品牌Tier1定点。 5、公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的IGBT模块在地面光伏电站和大型储能批量装机，并在北美等海外电站批量装机；公司1200V 650V大电流单管已大批量应用于工商业光伏和储能，处于行业领先地位。
近期资金流向
(近10个交易日)
累计净额:
1.5亿
净流入天数:
3 / 10
最大流入:
4.7亿
最大流出:
-1亿
| 日期 | 涨跌幅 | 成交额 | 主力净额 | 主力流入 | 主力流出 | 超大单净额 | 大单净额 | 主力净流速 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026-09-01 | -2.96% | 5.3亿 | -5464.3万 | 1.3亿 | 1.9亿 | -1783.4万 | -3680.9万 | -166.2万/分 |
| 2026-08-31 | 0.14% | 5.5亿 | -2464.8万 | 1.4亿 | 1.7亿 | -1627.7万 | -837.1万 | 209万/分 |
| 2026-08-28 | -2.34% | 6.4亿 | -5937万 | 1.6亿 | 2.2亿 | -2064.1万 | -3872.9万 | 255.1万/分 |
| 2026-08-27 | 2.43% | 8.4亿 | 3056.5万 | 2.7亿 | 2.4亿 | 2545.2万 | 511.3万 | 124.8万/分 |
| 2026-08-26 | -2.1% | 6.5亿 | -5547.2万 | 1.5亿 | 2亿 | -1778.2万 | -3769万 | 12.7万/分 |
| 2026-08-25 | 0.0% | 9.1亿 | -2850.4万 | 2.3亿 | 2.6亿 | 431.1万 | -3281.6万 | 10.2万/分 |
| 2026-08-24 | -5.07% | 12.9亿 | -3697.8万 | 3.7亿 | 4.1亿 | -2278.2万 | -1419.6万 | 714.3万/分 |
| 2026-08-21 | 2.45% | 16亿 | 1091.9万 | 5.2亿 | 5.1亿 | 619.4万 | 472.5万 | -44.3万/分 |
| 2026-08-20 | -4.68% | 18.9亿 | -1亿 | 7亿 | 8亿 | -1.7亿 | 6179.7万 | -202.5万/分 |
| 2026-08-19 | 10.0% | 20.6亿 | 4.7亿 | 14亿 | 9.3亿 | 5.7亿 | -9848.8万 | 450.4万/分 |